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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP351 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP352
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3077PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP3077PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | IRFP360 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP353
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP353 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340PBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | IRFP340PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350LC
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP350LC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP32N50KPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 | IRFP32N50KPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP342
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP350A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350R
Intersil Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,16A I(D),TO-247 | IRFP350R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP344PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 | IRFP344PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP323
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP323 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP332
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP332 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340B
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 400V, 0.54ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P, 3 PIN | IRFP340B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | IRFP340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP352
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP362
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP362 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP353
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP353 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||