Showing 25 of 213 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350A |
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IRFP353
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP353 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP344PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP344PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP323
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP323 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP342
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350LC
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP350LC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8.7A, 350V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC | IRFP343PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP340 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP360 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | IRFP350 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP343PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP340PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP340PBF |
0
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IRFP342
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP351
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP350FI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218 | IRFP350FI |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP360
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP360 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP353
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP353 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP32N50KS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP32N50KS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP320
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP320 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP343R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3077PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP3077PBF |
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IRFP352
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP352 |
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IRFP350
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP350 |
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