Showing 25 of 125 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9210PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9010
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9212
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9212 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU91109A
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU91109A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9N20DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120TU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9120TU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | IRFU9110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9025
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9025 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9014
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9N20D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9211
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9211 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9221
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9221 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9310PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9310PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9111
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 80V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9111 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9020PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFU9020PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFU9024N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | AUIRFU9024N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFU9024N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | AUIRFU9024N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP001557756
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | SP001557756 |
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