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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRL520N-018PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520N-018PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-004PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-019 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-031 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520NSPBF
Infineon
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1 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 180mOhms 13.3nC | Other | IRL520NSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520N-012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520-012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-012PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 10A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520N-013PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520AJ69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRL520AJ69Z |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-030 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520-005PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520NSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRL520NSPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-005 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-007
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520-007 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-007PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 9.2A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRL520-007PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRL520-010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-009 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRL520N-004PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520S
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRL520S |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | IRL520N-004 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRL520N-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRL520N-011PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||