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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203N-112
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-112 |
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IRLI2505-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-004 |
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IRLI2203N-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-013 |
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IRLI2203N-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-017PBF |
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IRLI2505-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-015 |
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IRLI2203G
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G |
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IRLI2505-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-011 |
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IRLI2505-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-019 |
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IRLI2910-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-013PBF |
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IRLI2910-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-006PBF |
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IRLI2203N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-010PBF |
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IRLI2203N-102
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-102 |
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IRLI2203N-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-024PBF |
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IRLI2505-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-019 |
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IRLI2203N-101PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-101PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2505-111PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2505-111PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2505-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2505-031 |
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IRLI2910-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2910-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-006 |
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IRLI2910-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203G-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLI2203N-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203N-030 |
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IRLI2910-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2910-019 |
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IRLI2203N-102
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLI2203N-102 |
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IRLI2203G-031PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLI2203G-031PBF |
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