Showing 25 of 168 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2502TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2502TRPBF-1 |
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IRLML2502GTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2502GTRPBF |
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IRLML6402GTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6402GTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6401GTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6401GTRPBF |
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IRLML2803
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2803 |
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IRLML5203GTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML5203GTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2402TRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2402TRPBF |
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IRLML0100TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML0100TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5103TR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML5103TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6302
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6302 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6344
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel Power MOSFET in SOT-23 package with 30V drain-source voltage, 5A continuous drain current, and on-resistance of 29mΩ at 4.5V gate-source voltage. | IRLML6344 |
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IRLML2803TR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2803TR |
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IRLML6401TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6401TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML0030TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRLML0030TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5203TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML5203TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2402TR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2402TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6244TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6244TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2502TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML2502TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML5203
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLML5203 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6302
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 1-Element | IRLML6302 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2803TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML2803TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML2246TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRLML2246TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6401TR
CYT Opto-electronic
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 12V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6401TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6402TRPBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRLML6402TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLML6302GTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | IRLML6302GTRPBF |
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