Showing 25 of 303 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-30BL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-30BL |
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PSMN1R1-30PL,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R1-30PL,127 |
1
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PSMN1R2-80CSEJ
Nexperia
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1 | MOSFETs N-channel, 80 V, 1.3 | PSMN1R2-80CSEJ |
1
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PSMN1R9-40PLQ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R9-40PLQ |
1
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PSMN1R6-30PL,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R6-30PL,127 |
1
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PSMN130-200D
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | PSMN130-200D |
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PSMN1R2-25YLC
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R2-25YLC |
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PSMN1R7-30YL,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R7-30YL,115 |
0
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PSMN1R8-30BL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R8-30BL |
0
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PSMN1R6-30PL,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-30PL,127 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-40PLQ
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R9-40PLQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-30BL,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-30BL,118 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-30BLE
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.00185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R5-30BLE |
0
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PSMN1R5-30YLC
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.00205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R5-30YLC |
0
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PSMN1R1-30BL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R1-30BL |
0
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PSMN1R6-40YLC:115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-40YLC:115 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN165-200K,518
NXP Semiconductors
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1 | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET SOIC 8-Pin | PSMN165-200K,518 |
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PSMN1R0-30YLDX
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R0-30YLDX |
0
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PSMN1R1-30EL
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | PSMN1R1-30EL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-80CSE
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 495A I(D), 80V, 0.00095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R0-80CSE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R2-25YLD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 230A I(D), 25V, 0.00169ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R2-25YLD |
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PSMN1R1-80CSF
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 385A I(D), 80V, 0.00177ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R1-80CSF |
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PSMN1R9-25YLC
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R9-25YLC |
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PSMN1R0-30YLC
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R0-30YLC |
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PSMN1R0-30YLD
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R0-30YLD |
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