Showing 25 of 316 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP343 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR030RFP-32-7S-F80
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 35 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR030RFP-32-7S-F80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P06
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3N45
Rochester Electronics LLC
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1 | 3A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP3N45 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3206PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP3206PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBRFP3M60SAFQ
Diodes Incorporated
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1 | 3A FIELD PLATED SBR FIELD PLATED SUPER BARRIER RECTIFIER | SBRFP3M60SAFQ |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-375375-6Z50-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-375375-6Z50-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP352
Rochester Electronics LLC
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1 | 14A, 400V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | IRFP352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR03RFP-36-54P-F80
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 39 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR03RFP-36-54P-F80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP352
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3411
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP3411 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-375375A6Z50
Anaren Microwave
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1 | 0.001MHz Min, 2300MHz Max, 50ohm | RFP-375375A6Z50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFP3006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP354PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP354PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ITS4103RFP32-A30SF7
Glenair Inc
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1 | MIL Series Connector, 30 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | ITS4103RFP32-A30SF7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP3077PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP3077PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP352
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-375375-6X50-2
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 1000MHz Max, 50ohm | RFP-375375-6X50-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP333
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP333 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-30A50TPC
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-30A50TPC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-30A50TP
Anaren Microwave
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1 | 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm | RFP-30A50TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP343R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP343R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP342
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 400V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP342 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP-300-50TD
Anaren Microwave
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1 | RF/Microwave Termination, 0MHz Min, 3000MHz Max, 50ohm, | RFP-300-50TD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||