Showing 25 of 271 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704ZS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF204GRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.4W, 370ohm, 200V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF204GRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRF3702IRHCRG4
Texas Instruments
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1 | RF and Baseband Circuit, PQCC16 | TRF3702IRHCRG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZCSTRLP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZCSTRLP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF3704ZLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR-50BRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 370ohm, 350V, 0.1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR-50BRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SJRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 370ohm, 250V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SJRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3709LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704ZSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR50SDRF370K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 370000ohm, 300V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR50SDRF370K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZCSTRRP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZCSTRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRF3702IRHCG4
Texas Instruments
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1 | RF and Baseband Circuit, PQCC16 | TRF3702IRHCG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3704Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CRF-37010-102
Cree, Inc.
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1 | Transistor | CRF-37010-102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3707STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3707STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3706SPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704ZCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZSPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SGRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 370ohm, 250V, 2% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SGRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3703
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3703 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF50SDRF370R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 370ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF50SDRF370R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZCLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3709ZCLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||