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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBRF5100HC0G
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC | MBRF5100HC0G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF510STRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510STRRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510AF
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510AF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050JTRF510K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050JTRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050JTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050JTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSFRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 3313, MELF | MMF1WSFRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-12BRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.1666W, 510ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-12BRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMP200FRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 510000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount | MMP200FRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VME-64SD1-16JRF5-10
North Atlantic Industries Inc
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1 | Converter | VME-64SD1-16JRF5-10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMP100JRF510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 510ohm, 350V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount | MMP100JRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF5109HXV
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MRF5109HXV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF5109HXV
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,400MA I(C),TO-205AD | MRF5109HXV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR050SGTRF510R
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 510ohm, 350V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR050SGTRF510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR500GTRF510K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 5W, 510000ohm, 700V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR500GTRF510K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CFR3WSGR-F510R
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Carbon Film, 3W, 510ohm, 500V, 2% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | CFR3WSGR-F510R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510UA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510W
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510W |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MOR025JTRF510K
Hitano Enterprise Corp
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.25W, 510000ohm, 250V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED, ROHS COMPLIANT | MOR025JTRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510STRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF510STRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMF-50FRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.5W, 510000ohm, 350V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMF-50FRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC0603JRF510K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 510000ohm, 50V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | RC0603JRF510K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF510-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF510-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||