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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS654B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS654B_FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS634
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS634 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS644A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS644A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0603B732RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 732ohm, 33.1361V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603B732RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V08-A-RR-FS60PSI-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V08-A-RR-FS60PSI-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS621
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS630A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS630A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0505B787RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.4W, 787ohm, 33.1934V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0505, CHIP | RCP0505B787RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS614BYDTU-FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS614BYDTU-FP001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C05-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C05-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V04-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 250Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V04-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS610A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS610A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C06-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C06-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C05-A-UC-RR-FS60PSI-OR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C05-A-UC-RR-FS60PSI-OR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C08-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 5000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C08-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801E-22RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom, | IM801E-22RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V09-A-UC-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 10000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V09-A-UC-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V03-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 100Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V03-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS624
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS624 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-C06-A-UC-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 4-20mA, Cylindrical | 3820-C06-A-UC-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820C-3FRFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 66MHz Nom | IM820C-3FRFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V06-A-RR-FS60PSI-CR
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 1000Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V06-A-RR-FS60PSI-CR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM801D-22RFS-66.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | 66MHz Nom | IM801D-22RFS-66.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3820-V05-A-RR-FS60PSI-WM
Gems Sensors & Controls
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1 | Pressure Switch Sensor, 0Psi Min, 500Psi Max, 2%, 1-5V, Cylindrical | 3820-V05-A-RR-FS60PSI-WM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP0603B681RFS6
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1.5W, 681ohm, 31.9609V, 1% +/-Tol, 150ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP | RCP0603B681RFS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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