Showing 25 of 177 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS5620TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620TRRPBF |
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IRFS540
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS540 |
0
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IRFS530
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS530 |
0
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IM820D-6FRFS-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820D-6FRFS-50.0000MHZ |
0
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IRFS520A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS520A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820D-3ERFS-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820D-3ERFS-50.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GWJDSMS1.EC-FRFS-5YC8-L1N2-120-R18
OSRAM Opto Semiconductors
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1 | Single Color LED | GWJDSMS1.EC-FRFS-5YC8-L1N2-120-R18 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-50V102MK9#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-50V102MK9#5 |
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IRFS510A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS510A |
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IRFS540AT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS540AT |
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IRFS5620TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620TRRPBF |
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RFS520Q-EZH-DBN
RAYSTAR
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1 | Display: TFT; 5.2"; 480x128; Illumin: LED; Dim: 180x65x8.8mm; RGB | RFS520Q-EZH-DBN |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-50V3R3ME3#5N
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 3.3uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-50V3R3ME3#5N |
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IM820B-6FRFS-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820B-6FRFS-50.0000MHZ |
0
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IRFS59N10DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS5032RS32P0
ANADIGICS Inc
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1 | Wide Band Low Power Amplifier, 4900MHz Min, 5900MHz Max, 3 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, S32, LPCC-12 | RFS5032RS32P0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IM820C-1FRFS-50.0000MHZ
ILSI America LLC
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1 | LVCMOS Output Clock Oscillator, 50MHz Nom | IM820C-1FRFS-50.0000MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS59N10DTRLP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DTRLP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS521
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS521 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-50V4R7MF3#5
TAIYO YUDEN
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 50V, 20% +Tol, 20% -Tol, 4.7uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | RFS-50V4R7MF3#5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFS5109HS
Motorola Semiconductor Products
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1 | Transistor | MRFS5109HS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS540A
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 100V, 0.052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS540A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS523
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS523 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS550A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS550A |
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IRFS5615TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615TRRPBF |
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