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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-150TT
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-150TT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS648-49MG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP48, 48 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS648-49MG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-151TT
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-151TT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-237GG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-237GG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-812MG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-812MG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-151MT
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-151MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS648-811MG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP48, 48 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS648-811MG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS640-29GT
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP40, 40 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS640-29GT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS648-237MG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP48, 48 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS648-237MG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RLS648-151TT
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, DIP48, 48 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 15.24mm Row Spacing, Solder | RLS648-151TT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS640A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS640A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS640A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS640A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS641
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS641 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS640
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRLS640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRLS640A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRLS640A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||