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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSC1001CI1-001.0000
Microchip
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1 | 1 MHz XO (Standard) CMOS Oscillator 1.8V ~ 3.3V Standby (Power Down) 4-SMD, No Lead | Other | DSC1001CI1-001.0000 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TNP10SC100RFE
Ohmite
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1 | Thin Film Resistors - Through Hole 100ohm 1% 10W TO-126 PKG PWR RES | Transistor Outline, Vertical | TNP10SC100RFE |
3
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BSC100N10NSF G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 | Other | BSC100N10NSF G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DSC1001DL5-125.0000
Microchip
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1 | Oscillator MEMS 125MHz ±10ppm (Stability) 15pF CMOS 55% 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 4-Pin VDFN SMD Tube | Other | DSC1001DL5-125.0000 |
3
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BSC100N06LS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC100N06LS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008F-3R3G-T
ABRACON
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1 | RF Inductors - SMD FIXED IND 3.3UH 450MA 1.7 OHM | Other | AISC-1008F-3R3G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R75G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Chip Wirewound 1.2uH 2% 7.9MHz 37Q-Factor Ferrite 650mA 800mOhm DCR 1008 T/R | Other | AISC-1008-R75G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-4R7G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 4.7uH 2% 7.9MHz 20Q-Factor Ceramic 0.26A 4Ohm DCR 1008 T/R | Other | AISC-1008-4R7G-T |
3
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AISC-1008-R047G-T
ABRACON
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1 | Inductor Ceramic Core Wire Wound 2.9 x 2.8 x 2.3mm, 10% Tolerance, 2% Tolerance | Other | AISC-1008-R047G-T |
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AISC-1008-3R3G-T
ABRACON
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1 | OSC XO 725MHZ 3.3V LVPECL | Other | AISC-1008-3R3G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008F-1R2G-T
ABRACON
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1 | Inductor RF Wirewound 1.8uH 2% 7.9MHz 33Q-Factor Ferrite 0.6A 0.84Ohm DCR 1008 T/R | Other | AISC-1008F-1R2G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R39J-T
ABRACON
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1 | CRYSTAL 19.7079MHZ 8PF SMD | Other | AISC-1008-R39J-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-1R5G-T
ABRACON
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1 | Ind Chip Unshielded Wirewound 2.2uH 2% 7.9MHz 28Q-Factor Ceramic 280mA 1008 T/R | Other | AISC-1008-1R5G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R39G-T
ABRACON
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1 | 16 MHz XO (Standard) CMOS Oscillator 1.8V ~ 3.3V Standby (Power Down) 4-SMD, No Lead | Other | AISC-1008-R39G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R12G-T
ABRACON
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1 | 120 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 650 mA 630mOhm Max 1008 (2520 Metric) | Other | AISC-1008-R12G-T |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPTF0603-SC-1000AT
Venkel
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1 | High Power Thin Film CR,0603,1/6W,?50PPM,100R,?0.05% | Other | HPTF0603-SC-1000AT |
3
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DSC10065
Diodes Incorporated
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Rectifier TO220AC TUBE 50PCS | Transistor Outline, Vertical | DSC10065 |
3
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HPTF0603-SC-1000CT
Venkel
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1 | High Power Thin Film CR,0603,1/6W,?50PPM,100R,?0.25% | Other | HPTF0603-SC-1000CT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPTF0603-SC-1003BT
Venkel
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1 | High Power Thin Film CR,0603,1/6W,?50PPM,100K ,?0.1% | Other | HPTF0603-SC-1003BT |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R015J-T
ABRACON
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1 | RADIAL POWER INDUCTOR 8.5 X 11.0 X 5.0 X 5.0MM | Other | AISC-1008-R015J-T |
3
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AISC-1008-R022G-T
ABRACON
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1 | MEMS OSC XO 50.0000MHZ CMOS SMD | Other | AISC-1008-R022G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-3R9G-T
ABRACON
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1 | SMD Wire-Wound Chip Inductor | Other | AISC-1008-3R9G-T |
3
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AISC-1008-R068G-T
ABRACON
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1 | FIXED IND 68NH 1A 210 MOHM SMD | Other | AISC-1008-R068G-T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AISC-1008-R056G-T
ABRACON
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1 | 56 nH Unshielded Wirewound Inductor 1 A 180mOhm Max 1008 (2520 Metric) | Other | AISC-1008-R056G-T |
3
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AISC-1008-R56J-T
ABRACON
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1 | 560 nH Unshielded Drum Core, Wirewound Inductor 400 mA 1.33Ohm Max 1008 (2520 Metric) | Other | AISC-1008-R56J-T |
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