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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JAAEGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JAAEGU1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-104P-77.76M-NSA3346G
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 77.76MHz Nom | 7311S-DF-104P-77.76M-NSA3346G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JABSHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABSHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-550SDF16.0000MB0
Seiko Epson Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator, 16MHz Nom | SG-550SDF16.0000MB0 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAEGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEAEGU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JAAXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAXHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF12N100GAFEHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF12N100GAFEHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JDASHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JDASHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF17N60GAFEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF17N60GAFEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF13N90GAFVGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 900V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF13N90GAFVGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF140JAAVGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF140JAAVGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150NA40HEWU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 400V, 0.2ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF150NA40HEWU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEAVHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | SDF10N100JEAVHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RGA102M1VSDF1616
Lelon Electronics Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, | RGA102M1VSDF1616 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF11N100GAFXGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF11N100GAFXGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N60JABEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N60JABEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF1NA60JABEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF1NA60JABEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEDSGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEDSGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF-10-D-L
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 20 Contact(s), 2 Row(s), Female, Crimp Terminal, Socket | ISDF-10-D-L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7311S-DF-104X-212.500MHZ
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
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1 | PECL Output Clock Oscillator | 7311S-DF-104X-212.500MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF150JAAEHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF150JAAEHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100JEBSHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100JEBSHD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF17N60GAFXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF17N60GAFXHD1Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N100GAFSHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N100GAFSHSN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF10N90GAFVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF10N90GAFVGSB |
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