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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-310SDF40.0000ML
Seiko Epson Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator | SG-310SDF40.0000ML |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF450JABSHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF450JABSHD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABSHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N100JABSHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAXGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N100JAAXGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N60JABEGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N60JABEGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF420JAAXGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF420JAAXGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF460JEBSHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | SDF460JEBSHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JAAEHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF4N100JAAEHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF430JAAXHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF430JAAXHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF420JAAXGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF420JAAXGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABSHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N90JABSHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF460JEBXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | SDF460JEBXGD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF440JABEGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF440JABEGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF420JABXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF420JABXHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF430JAAEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF430JAAEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABSGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4NA100JABSGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N90JABXGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N90JABXGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF430JAAEGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF430JAAEGU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-550SDF48.0000MM3
Seiko Epson Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator, 2MHz Min, 48MHz Max, 48MHz Nom | SG-550SDF48.0000MM3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4N100JABSHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4N100JABSHSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF4NA100JABSHU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 1000V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF4NA100JABSHU1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PEH506SDF4120M3
KEMET Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1200uF, Through Hole Mount | PEH506SDF4120M3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG-310SDF40.0000ML0
Seiko Epson Corporation
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1 | CMOS Output Clock Oscillator | SG-310SDF40.0000ML0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF460JEDEHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA | SDF460JEDEHSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF450JABSHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF450JABSHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||