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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF9NA80JABXGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9NA80JABXGU1N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JEBXHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, 3 PIN | SDF9N100JEBXHU1B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JECVGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | SDF9N100JECVGU1Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100GAFXHSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFXHSZ |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100GAFVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFVGU1N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9NA80JABXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9NA80JABXHSN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100GAFVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFVGU1B |
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SDF9NA80JABEGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9NA80JABEGSN |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JEDSGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259, | SDF9N100JEDSGU1B |
0
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SDF9N100JEDEHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100JEDEHU1N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JECEHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | SDF9N100JECEHU1B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JECXHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | SDF9N100JECXHD1Z |
0
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SDF9N100JECEHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | SDF9N100JECEHD1Z |
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SDF9N100GAFEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFEHD1B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100GAFXGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFXGD1B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100GAFEGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100GAFEGU1B |
0
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SDF9NA80JAASGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9NA80JAASGU1N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JEBVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259AA, 3 PIN | SDF9N100JEBVGSB |
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SDF9N100JEDVGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-259, | SDF9N100JEDVGD1B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JECEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA, TO-258, 3 PIN | SDF9N100JECEHD1B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100JEAXHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100JEAXHD1N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9N100SXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, 3 PIN | SDF9N100SXHSB |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9NA80JAAEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF9NA80JAAEGSB |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF9NA80JAAXHSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | SDF9NA80JAAXHSB |
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SDF9N100JEBEHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF9N100JEBEHU1N |
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