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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7104DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.1A I(D), 12V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7104DN-T1-E3 |
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SI7174DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 75V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7174DP-T1-GE3 |
0
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SI7121DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7121DN-T1-GE3 |
0
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SI7112DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7112DN-T1-GE3 |
0
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TC1110CSI713
Telcom Semiconductor Inc
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1 | D/A Converter, 16 Func, Serial Input Loading, PDSO28 | TC1110CSI713 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESI71K21S
Dearborn Electronics Inc
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1 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR | ESI71K21S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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516BSI7.150.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 4W, 7.15ohm, 200V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, | 516BSI7.150.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7155DP-T1-UE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor | SI7155DP-T1-UE3 |
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SI7120DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7120DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7120DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7120DN-T1-E3 |
0
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SI7119DN-T1-E3
Vishay
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1 | P-Channel 200 V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 | SI7119DN-T1-E3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7186DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 80V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7186DP-T1-GE3 |
0
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SI7123DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 20V, 0.0106ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7123DN-T1-GE3 |
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SI7108DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7108DN-T1-E3 |
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923BSI71.50.5%10
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 6W, 71.5ohm, 300V, 0.5% +/-Tol, 10ppm/Cel, Through Hole Mount | 923BSI71.50.5%10 |
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SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7114ADN-T1-GE3 |
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SI7194DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7194DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7116DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7186DP-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 80V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7186DP-T1-E3 |
0
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SI7107DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 0.0108ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7107DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7107DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 0.0108ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7107DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7143DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7143DP-T1-GE3 |
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SI7156DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7156DP-T1-E3 |
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SI7116DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7116DN-T1-E3 |
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SI7114DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 1V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7114DN-T1-GE3 |
0
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