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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8040-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.0108ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8040-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 80V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8083(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8083(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8101
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8081
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8081 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8042(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8042(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8014-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8014-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8052-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8052-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.0213ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8010-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8010-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8051-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8051-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8104(TE12L,Q,M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8104(TE12L,Q,M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8027-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8027-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8128
Toshiba
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1 | P-ch MOSFET, -30 V, 0.0048 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅥ | TPCA8128 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8016-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8016-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8050-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.0153ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8050-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8108
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8108 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8015-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8015-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8012-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8012-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8084
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8084 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8A09-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8A09-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8105(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 12V, 0.051ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8105(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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