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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8305(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.042ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8305(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8206(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8206(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8012
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.0291ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8H02(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | TPCP8H02(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8902(TE85L,F,M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8902(TE85L,F,M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8A05-H(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8A05-H(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8006
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 20V, 0.0137ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8402
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8402 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8504(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, NPN | TPCP8504(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8515
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | NPN Bipolar Transistor / VCEO=12 V / IC=5 A / hFE=250~500 / VCE(sat)=0.14 V / tf=50 ns / PS-8 | TPCP8515 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8514
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | NPN Bipolar Transistor / VCEO=120 V / IC=3 A / hFE=120~240 / VCE(sat)=0.15 V / tf=170 ns / PS-8 | TPCP8514 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8404,LF(CM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8404,LF(CM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8101(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8101(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8008-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8008-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8514,LF
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8514,LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8507(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 8 Pin | TPCP8507(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8306(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8306(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8109
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 40V, 0.0768ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8109 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8G01
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | TPCP8G01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8G01(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 2-Element, PNP, Silicon | TPCP8G01(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8004
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8004(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8004(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8404(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8404(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8002
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCP8002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCP8607
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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1 | PNP Bipolar Transistor / VCEO=-120 V / IC=-2.5 A / hFE=120~240 / VCE(sat)=-0.32 V / tf=65 ns / PS-8 | TPCP8607 |
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