Showing 25 of 178 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40120B7-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M40120B7-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M150120W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M150120W-A6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D301400CW
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 41A, 1400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301400CW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D401200W6Q
WeEn Semiconductors
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1 | Diode 1200 V 40A Through Hole TO-247-2 | WNSC2D401200W6Q |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40120TB6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M40120TB6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D401200TB6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode | WNSC2D401200TB6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065W6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M45065B7
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M45065B7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D401200CW
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D401200CW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 51A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D06650XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D06650XQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200CW6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D101200CW6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D10650DJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D10650DJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D20650CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D20650CWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200W-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M40120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC201200WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC201200WQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 650V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WNSC2M20065B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61.1A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M60120R6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051700W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 21A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D051700W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051200D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D051200D6J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D0512006Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D0512006Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||