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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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500H10N904ZQ3T
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.9uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | 500H10N904ZQ3T |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFVHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFVHD1N |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
500H10N904JQ4
Advanced Monolythic Ceramics
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1 | CAPACITOR, CERAMIC, MULTILAYER, 50V, C0G, 0.9uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED | 500H10N904JQ4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MSAFX10N90A
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MSAFX10N90A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFD10N90-7L
Littelfuse Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.351 X 0.284 INCH, DIE | IXFD10N90-7L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFEGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFEGSB |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFEGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFEGD1B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T10N900HOB
Telefunken Microelectronics Gmbh
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 900V V(DRM), | T10N900HOB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFVGU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFVGU1N |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NM27C210N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | OTP ROM, 64KX16, 90ns, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | NM27C210N90 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T10N900UOB
Telefunken Microelectronics Gmbh
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 900V V(DRM), | T10N900UOB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
661-001M10N-90
Glenair Inc
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1 | Military Connector Accessory, | 661-001M10N-90 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CAT28F010N-90T
Catalyst Semiconductor
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1 | Flash, 128KX8, 90ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | CAT28F010N-90T |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
UM5110-N902
United Microelectronics Corporation
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1 | Speech Synthesizer, 10s, PDIP24 | UM5110-N902 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFEHD1B |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3U7210N90
C&K
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1 | THUMB/PUSHWHEEL SWITCH-7SWITCHES, BINARY CODED DECIMAL, 0.1A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT, ROHS COMPLIANT | 3U7210N90 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T-IXFD10N90-L
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | T-IXFD10N90-L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
500H10N904JQ4T
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 5% +Tol, 5% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.9uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | 500H10N904JQ4T |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FR0510N90M9F2
ITT Power Solutions Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 2W, 90900000ohm, 10000V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | FR0510N90M9F2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFXGU1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFXGU1Z |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
500H10N904ZQ4T
Johanson Dielectrics Inc
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1 | Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 80% +Tol, 20% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.9uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | 500H10N904ZQ4T |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NM27C010N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | OTP ROM, 128KX8, 90ns, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 | NM27C010N90 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
3U0710N90
C&K
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1 | THUMB/PUSHWHEEL SWITCH-0SWITCHES, BINARY CODED HEXADECIMAL, 0.1A, 28VDC, THROUGH HOLE-STRAIGHT, ROHS COMPLIANT | 3U0710N90 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SDF10N90GAFVHU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | SDF10N90GAFVHU1B |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W-IXTD10N90-L
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | W-IXTD10N90-L |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||