Showing 25 of 1287 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Digitron Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N6660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.GRPB
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 1000mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HERMETIC SEALED PACKAGE-18 | 2N6660C4A-JQRS.GRPB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-QR
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-QR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-6255
Intersil Corporation
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6667-6255 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667N
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4A-JQRS.XRAY
TT Electronics Resistors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6660C4A-JQRS.XRAY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-6258
Intersil Corporation
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1 | 10A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6667-6258 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-6261
Intersil Corporation
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1 | 8A, 40V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | 2N6666-6261 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661DCSM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661DCSM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
SY Sinyork Co Ltd
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1 | Transistor | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-QR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661.MODR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6661.MODR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667-6200
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667-6200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-220M
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-220M
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-220M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Central Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-E3
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 860 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD, LEAD FREE, TO-39 TOLL LID, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 2N6661-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6661-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-DR6260
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-DR6260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668BU
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668BU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667
Harris Semiconductor
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0 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), PNP | 2N6667 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-220MR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661-220MR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660-QR-B |
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