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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2664-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SK2664-4012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2622
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,14A I(D),TO-247VAR | 2SK2622 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2614(2-7B7B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 20 A, 50 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7B7B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SK2614(2-7B7B) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2603(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,3A I(D),TO-220AB | 2SK2603(Q) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2685
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,HEMT,N-CHAN,6V V(BR)DSS,35MA I(DSS),SOT-343R | 2SK2685 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2633LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2633LS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2690-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-228AA, SC-65, TO-3P, 3 PIN | 2SK2690-01 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2631
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 800V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2631 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2685ZT-UR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, CMPAK-4 | 2SK2685ZT-UR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2674-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2674-4012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2683
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI, 3 PIN | 2SK2683 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2673-4100
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN | 2SK2673-4100 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2649-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 2SK2649-01R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2682
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,13A I(D),TO-220AB(FP) | 2SK2682 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2615(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK2615(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2624FG
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F-3SG, 3 PIN | 2SK2624FG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2684L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SK2684L |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2681LS
SANYO Electric Co Ltd
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2681LS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2668-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2668-4012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2628ALS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI(LS), 3 PIN | 2SK2628ALS |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2680LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI(LS), 3 PIN | 2SK2680LS |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2623TP-FA
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2623TP-FA |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2679(T)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-220AB | 2SK2679(T) |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2667-4100
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MTO-3P, 3 PIN | 2SK2667-4100 |
0
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2SK2625ALS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FI(LS), 3 PIN | 2SK2625ALS |
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