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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TC1303B-TF1EUNTR
Microchip Technology Inc
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1 | Switching Regulator, Current-mode, 0.5A, 2400kHz Switching Freq-Max, PDSO10 | TC1303B-TF1EUNTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1961
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1960ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1961 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1583V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 158000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1583V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1780
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 178ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1780 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1872V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 18700ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1872V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1652V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 16500ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1652V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1151V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1150ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1151V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1472V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 14700ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1472V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6L1016U3B-TF100
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6L1016U3B-TF100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1620V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 162ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1620V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1820V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 182ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1820V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1472
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 14700ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1472 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1651
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1650ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1651 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1653V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 165000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1653V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1872
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 18700ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1872 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1023V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 102000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1023V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1782
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 17800ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1782 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1623V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 162000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1623V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1272
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 12700ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1272 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1331
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1330ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1331 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1690V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 169ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1690V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6L1016C3B-TF10
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6L1016C3B-TF10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1502V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 15000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1502V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1652
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 16500ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1652 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1073
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 107000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1073 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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