Showing 22 of 147 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
F4N60L-MHQ-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | F4N60L-MHQ-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
F4N60L-MHQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | F4N60L-MHQ-TN3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
24N60L-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 24N60L-CB-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TC-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 14N60L-TC-TQ2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
RMP4N60LD
Rectron Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor | RMP4N60LD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
24N60L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 24N60L-CB-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT94N60L2C3E3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT94N60L2C3E3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT94N60L2C3
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT94N60L2C3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 14N60L-TC-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
APT94N60L2C3G
Microchip Technology Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT94N60L2C3G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
F4N60L-MHQ-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | F4N60L-MHQ-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
L4N60L-TF3-T
LRC Leshan Radio Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | L4N60L-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 14N60L-TC-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, | 14N60L-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AOT4N60L
Alpha & Omega Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AOT4N60L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AOTF4N60L
Alpha & Omega Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AOTF4N60L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
L4N60L-TA3-T
LRC Leshan Radio Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | L4N60L-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.62ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | 14N60L-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
D4N60L-KW-T92-B
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | D4N60L-KW-T92-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
D4N60L-KW-AB3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | D4N60L-KW-AB3-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TC-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 14N60L-TC-TQ2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
14N60L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | 14N60L-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||