Showing 25 of 561 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8030B2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60J
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3CTG
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AB | APT8DQ60K3CTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DPC-APT8C
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPC-APT8C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FC4STCAPT80.0
Fox Electronics
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 80MHz Nom | FC4STCAPT80.0 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8065AVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 11.2A, 800V, 0.67ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE, TO-3, 2 PIN | APT8065AVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8056BVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8056BVRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT801R2BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60LD40
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264 | APT80GA60LD40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 800V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT801R4CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90LD40
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264 | APT80GA90LD40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5A, 800V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT802R8BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8024LFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FX-427-DPF-APT8A
Microchip Technology Inc
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1 | PLL Frequency Synthesizer | FX-427-DPF-APT8A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8016DFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 800V, 0.16ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8016DFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8056BVFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8056BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020LLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8020LLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052BLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8052BLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018L2VR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018L2VR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RBN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT802RBN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | APT8DQ60K3 |
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