Showing 25 of 561 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020LLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8020LLLG |
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APT80GA90S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT80GA90S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 800V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT801R4CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90LD40
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264 | APT80GA90LD40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT801R4BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90B2D40
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT80GA90B2D40 |
0
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APT8043SFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8043SFLL |
0
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APT80SM120J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80SM120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030FN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030FN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030FN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,29A I(D),F-PACK SIP | APT8030FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052BLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8052BLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RBN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT802RBN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018L2VR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018L2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8DQ60K3
Advanced Power Technology
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC | APT8DQ60K3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60LD40
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264 | APT80GA60LD40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8024LFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT801R2BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014L2FLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8014L2FLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075SN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075SN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JD3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60JD3 |
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