Showing 25 of 1244 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1004R2BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1004R2BN-BUTT |
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APT1001R6BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 8A, 1000V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT1001R6BN-BUTT |
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APT10086BVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10086BVRG |
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APT10030L2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1000V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10030L2VFR |
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APT10040LVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT10040LVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10086BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1000V, 0.86ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10086BVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1004RBN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 4.4A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT1004RBN-BUTT |
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APT1001R3AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT1001R3AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R3AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 8.5A, 1000V, 1.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | APT1001R3AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1002RBN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1002RBN-GULLWING |
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APT10021JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 1000V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10021JLL |
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APT10025JFLC
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 34A, 1000V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ISOTOP-4 | APT10025JFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10021DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10021DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001RDN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,1KV V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT1001RDN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078SLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10078SLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT100GF60JRD
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 140A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT100GF60JRD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10M25BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT10M25BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10090BLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT10090BLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10078BLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT10078BLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1001R2AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1001R2AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10026L2LLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10026L2LLG |
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APT10090HLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT10090HLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT10040B2VR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT10040B2VR |
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APT1004R2AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT1004R2AN |
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APT100S20LCT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 120A, 200V V(RRM), Silicon, TO-264AA | APT100S20LCT |
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