Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GT120JU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3580AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M42BFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT35M42BFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M42BFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET POWER MODULE,HALF BRIDGE,350V V(BR)DSS,95A I(D) | APT35M42BFN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,8A I(D),TO-254ISO | APT3580CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120JDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,13A I(D),TO-254ISO | APT3540CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3540CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120J
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120BG
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GN120BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35M80DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT35M80DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90B
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Single 900 V 35 A TO-247 | APT35GA90B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GT120JU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,7.5A I(D),TO-257ISO | APT3580GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520HN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3520HN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3540BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT3580BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT35GN120B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120SG/TR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT35GN120SG/TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3530CN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3555DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JDQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120JDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90SD15
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 63A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel | APT35GA90SD15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||