Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BNF-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 28A, 500V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT5020BNF-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GN60S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GN60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120LRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GT120LRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M75JLLU2
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M75JLLU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5015BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5015BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GH120BD30
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT50GH120BD30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024SVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024SVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M60L2VFRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M60L2VFRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010EN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT5010EN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60BRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GT60BRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GN60SDQ2G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GN60SDQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010LFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5010LFLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5022BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5025BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5019HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT5019HVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5017BVFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BNFR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5020BLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GP60LDL
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GP60LDL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GF60JU2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT50GF60JU2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024SFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024SFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120LRDQ2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT50GT120LRDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020HJN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 28A, 500V, 0.2ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | APT5020HJN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5050BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5050BN-BUTT |
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