Showing 25 of 1011 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5010LFLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5010LFLC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5020BLC
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5020BLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5027BNR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.27ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5027BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5014BFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5014BFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT60BRG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GT60BRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5015BVR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5015BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M75JLLU2
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT50M75JLLU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50DL60S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon | APT50DL60S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5085BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9.5A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5085BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5022BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GT120LRDQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 106A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT50GT120LRDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5024SLLG/TR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5024SLLG/TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5085BNF
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5085BNF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50M75LFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT50M75LFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50DL60BCTG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, TO-247 | APT50DL60BCTG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5015BVRG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5015BVRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5085BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9.5A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT5085BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5016SFLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5016SFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT50GS60BRDLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 93A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT50GS60BRDLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5017BVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5017BVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5019HVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT5019HVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5025BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5025BNR-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5022BNFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5022BNFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5018BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 500V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5018BFLL |
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