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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT5540BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5531SFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 550V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5531SFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55-101DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,17.5A I(D),CHIP / DIE | APT55-101DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5570BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 12A, 550V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT5570BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5514FN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5514FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R6BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 550V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT551R6BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5530BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT5530BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5560BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 13A, 550V, 0.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT5560BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R6BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 550V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT551R6BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55GF60BN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 | APT55GF60BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R6BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 550V, 1.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT551R6BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT551R3AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,6.5A I(D),TO-3 | APT551R3AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5532BN
Advanced Power Technology
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1 | Transistor | APT5532BN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 550V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT5540BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18A, 550V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT5540BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55M50JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 550V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M50JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55M65JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 550V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M65JFLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5545AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5545AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5531SFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 550V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5531SFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT5540HN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,550V V(BR)DSS,16.5A I(D),TO-258ISO | APT5540HN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT55M50JFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 77A I(D), 550V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M50JFLL |
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APT5513LFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT5513LFLL |
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APT5513B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 550V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT5513B2FLL |
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APT55M65L2FLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 550V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M65L2FLLG |
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APT55M90BFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | APT55M90BFN |
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