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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT802R8BN-BUTT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8020JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020JLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8018L2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 800V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8018L2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8056BVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8056BVRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80M60J
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80M60J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090BNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 12A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD | APT8090BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024JLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024JLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8075BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 800V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT802R4BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R2BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 9A, 800V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT801R2BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075BVR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8075BVR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT801R2DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8011JLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 800V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8011JLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8032EN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT8032EN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8056BVR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 800V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8056BVR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60S
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT80GA60S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2AN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R2AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8016DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8016DN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8GN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 4A, 800V, 2.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257 | APT802R8GN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8024LLLG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8032LNR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8032LNR |
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APT8020B2FLLE3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020B2FLLE3 |
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APT8020LFLLG
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8020LFLLG |
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