Showing 25 of 791 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP126
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 250V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP121T/R
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121T/R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP129L6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP126/T3
Nexperia
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 250V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126/T3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP125E6327
Siemens
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP125E6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP120-TAPE-7
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120-TAPE-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP128
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP128 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP125L6433
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP125L6433 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP122,115
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122,115 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP126
YAGEO Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 250V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP122135
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122135 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP125L6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP125L6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP120TRL13
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120TRL13 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP123
Rochester Electronics LLC
|
1 | 0.37A, 100V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN | BSP123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP123
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 100V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP127T/R
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 270V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127T/R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP124
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP124 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP127TRL
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 270V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP127TRL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP121
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP121 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP120-T
NXP Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP122
Nexperia
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 200V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP122 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP120
Diodes Incorporated
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP120TC
Zetex / Diodes Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP120TC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP126-T
Nexperia
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.375A I(D), 250V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP126-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSP123E6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 100V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP123E6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||