Showing 25 of 275 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC6301N
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6301N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC637ANS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC637ANS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6320C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6320C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6312P
VBsemi Electronics Co Ltd
|
1 | Dual P-Channel 20 V MOSFET in TSOP-6 package with -4.0 A continuous drain current, 0.100 ohm RDS(on) at VGS = -2.5 V, and 2.7 nC gate charge, suitable for load and battery switch applications. | FDC6312P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6301N
Rochester Electronics LLC
|
1 | 220mA, 25V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC6301N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6392SS62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6392SS62Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6330LD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1.6A, PDSO6 | FDC6330LD87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6331L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | LOAD SWITCH, Fixed, 1 Channel, PD6 | FDC6331L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6312PD84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6312PD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6325L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1 Driver, 1A, MOS, PDSO6 | FDC6325L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6392S
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6392S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6321C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00068A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6321C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6301ND84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6301ND84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6304PL99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.48A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6304PL99Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC636PD87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC636PD87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6302PD84Z
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6302PD84Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC636P
Rochester Electronics LLC
|
1 | 2800mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC636P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6302P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6302P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6327C_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6327C_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6322C
Rochester Electronics LLC
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDC6322C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6303ND87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.68A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6303ND87Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6329L
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Load switch, Fixed, 1 Channel, PDSO6 | FDC6329L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6304P
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.46A I(D), 25V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6304P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6332L_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 1A, PDSO6 | FDC6332L_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDC6333C
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC6333C |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||