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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S3-07 |
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IPB80P04P4L08XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L08XT |
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IPB80N04S3-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S3-04 |
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IPB80N06S2L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S405ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S405ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S207ATMA4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S207ATMA4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4L06XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L06XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N08S406ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N08S406ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P405XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0049ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P405XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S204XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S204XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP80P03P4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP80P03P4-05 |
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IPP80N06S2L-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP80N06S2L-09 |
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IPI80P03P4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IPI80P03P4-05 |
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