Showing 25 of 1481 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ABCIRF-3216PP
TT Electronics Resistors
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1 | Circular Connector, 23 Contact(s), Male, Solder Terminal, Receptacle | ABCIRF-3216PP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315STRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3315STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF351
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF351 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340
Texas Instruments
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF340 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZCSTRRP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF3704ZCSTRRP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF340
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 400V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF340 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3007STRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 75V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3007STRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3711ZS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3711ZS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF350SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350SMD-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3709PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205STRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3205STRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF341
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF341 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF331
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF331 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF350ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350ECPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF322
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF322 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF320
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF320 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3709Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF330
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF330 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3315-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3315-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3415-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3415-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3205-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3205-018 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704ZCS |
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