Showing 25 of 171 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF253R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF253R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF253R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF253R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF253
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF253 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250SMD-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF250SMD-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250CF
National Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF250CF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF251
Texas Instruments
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,30A I(D),TO-204AE | IRF251 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF250R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250R1
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF250R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF257R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF257R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF254R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF254R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF250-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF252
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF252 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF2525PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF2525PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF255R
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF255R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250SMD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF250SMD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250EB
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF250EB |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF254
Littelfuse Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF254 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF2525
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF2525 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250ED
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF250ED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250S2.97KOHMK
Nikkohm Co Ltd
|
1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 162W, 2970ohm, 10% +/-Tol, 260ppm/Cel, Chassis Mount, LEAD FREE | IRF250S2.97KOHMK |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF250 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF2525
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF2525 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF250ECPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF250ECPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF252
Littelfuse Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF252 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||