Showing 25 of 294 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6618TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6618TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6645TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6645TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6655TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6655TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6607TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6607TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6620TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6620TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633ATRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633ATRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6622TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 25V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6622TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633APBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6619PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6619PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6644TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOMETRIC-3 | IRF6644TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6623TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6623TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6626TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6626TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6610PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6610PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6646
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 80V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6646 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6638TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6638TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6611TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6611TR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6612
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6612 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6617TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6617TR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||