Showing 25 of 809 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF731-005 |
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IRF733-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF733-013PBF |
0
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IRF732-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-005 |
0
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IRF730AL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF730AL |
0
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IRF7317TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7317TR |
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IRF7341
Infineon
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1 | N-channel MOSFET,IRF7341 4.7A 55V | IRF7341 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7301PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7301PBF |
0
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IRF734-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-018 |
0
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IRF732FI
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732FI |
0
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IRF730CF
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730CF |
0
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IRF733-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF733-004PBF |
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IRF7321D2TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Transistor | IRF7321D2TRPBF |
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IRF7317TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7317TRPBF |
0
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IRF7338PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 12V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7338PBF |
0
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IRF7353D1TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7353D1TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,5.5A I(D),TO-220AB | IRF731 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7314TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7314TR |
0
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IRF7304PBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF7304PBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730_R4943
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730_R4943 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7342D2TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7342D2TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF731R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF731R |
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IRF734-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 450V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF734-019 |
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IRF7314QTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7314QTRPBF |
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IRF737LC-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 300V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF737LC-012 |
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