Showing 25 of 169 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF9140-JQR-BR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9133
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9133 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130ECPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9130ECPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF9140-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 100V, 0.35ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | IRF9130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140EBPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140EBPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF9140R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9131
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9131 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9122
Samsung Semiconductor
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1 | Transistor | IRF9122 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9133
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140EPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9150E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF9150E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130SMD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRF9130SMD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130SMD-JQR-BR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRF9130SMD-JQR-BR4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9130E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9132
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | IRF9132 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140SMD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRF9140SMD |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9130SMD05DSG-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AA | IRF9130SMD05DSG-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140-QR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF9140-QR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9150
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9150 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9140ECPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF9140ECPBF |
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