Showing 25 of 189 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-220M-QR-BR1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9530-220M-QR-BR1 |
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IRF9530N-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-006 |
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IRF9530N-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-030 |
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IRF9530N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530STRR
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9530STRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530STRR
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9530STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-029 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530SMDR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB | IRF9530SMDR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-030 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530NS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9530NS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9530N-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-004 |
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IRF9530N-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530N-005 |
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IRF9530-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9530-029PBF |
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IRF9530-220M-QR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9530-220M-QR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||