Showing 25 of 678 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z32-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z32-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34FXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34FXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24N-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z32-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z32-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24N-019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z24-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z15
International Rectifier
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1 | Transistor | IRF9Z15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24N-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z12-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z12-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z20-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z20-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z10-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z10-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34STRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9Z34STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24N-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24N-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z30-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z30-006 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z30-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z30-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z12-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z12-004 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34STRRPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9Z34STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-002PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||