Showing 25 of 201 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-001PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ10-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ15-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ12-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ12-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-018
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ15-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ12-002 |
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