Showing 25 of 202 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14FXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14FXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | IRFZ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ15-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ15-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ15-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ12-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-012
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ12-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.9A, 50V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFZ12-006PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-024PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-024PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ12-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFZ12-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ12-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10PBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | IRFZ10PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14S
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | IRFZ14S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 5.9A, 50V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFZ12-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220, 3 PIN | IRFZ14J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ12-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ14F
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFZ14F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ10-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 50V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ10-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ12-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFZ12-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFZ15-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8.3A, 60V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFZ15-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||