Showing 25 of 179 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRHM7250UPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7250UPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7260SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM7260SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7460SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7460SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7360U
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7254
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7254 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7160PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7160PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7360SE
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7264SED
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7264SED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7160
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7160 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7250SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7250SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7250PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7250PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7264SEU
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7264SEU |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7450DPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7450DPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7160U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7160U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7130U
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7130U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7054D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7054D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7264SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7264SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7130PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7130PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7360UPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360UPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7450SED
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7450SED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7360SESCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360SESCS |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7064PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7064PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7264SE
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 250V, 0.123ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7264SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7360SE
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM7360SE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRHM7450SEDPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM7450SEDPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||