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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS58160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58160 |
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IRHMS53160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS53160PBF |
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IRHMS57160PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS57160PBF |
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IRHMS597064PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS597064PBF |
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IRHMS593064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS593064 |
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IRHMS597160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS597160PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHMS9A97064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS9A97064 |
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IRHMS54160
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS54160 |
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IRHMS9A93160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.0195ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS9A93160 |
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IRHMS58064
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS58064 |
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IRHMS597260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.103ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS597260 |
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IRHMS67160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS67160PBF |
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IRHMS64260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS64260 |
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IRHMS53260SE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS53260SE |
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IRHMS67264
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS67264 |
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IRHMS55160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHMS55160 |
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IRHMS9A7264
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.0195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS9A7264 |
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IRHMS53Z60
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHMS53Z60 |
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