Showing 25 of 317 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ9130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ9130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ4230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ4230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57Z30PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57Z30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ68130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ68130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7130B
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ7130B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ593130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57034SCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57034SCSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67134SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 150V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67134SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ5S97130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ5S97130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57230SEA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ57230SEA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ64130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ64130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597230A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ597230A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ58034PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ58034PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ3230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ3230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ67230
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ67230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ7130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ594230
Infineon Technologies AG
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1 | Transistor | IRHNJ594230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ57034SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ57034SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ6S7130
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ6S7130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ7130SCSA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHNJ7130SCSA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ5S97230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ5S97230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ63134
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 150V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ63134 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ593Z30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ593Z30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHNJ597Z30
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHNJ597Z30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||