Showing 25 of 1020 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7402
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSR2N7402 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7465U3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.39ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN | JANSR2N7465U3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N6987
Microsemi Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 | JANSR2N6987 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N5154L
MACOM
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, | JANSR2N5154L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N3439
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN | JANSR2N3439 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7411
Intersil Corporation
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1 | 2.5A, 100V, 1.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | JANSR2N7411 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7425
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | JANSR2N7425 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7547T3
International Rectifier
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0 | Power Field-Effect Transistor | JANSR2N7547T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7392
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | JANSR2N7392 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7424U2
International Rectifier
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0 | Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSR2N7424U2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N6193
Cobham PLC
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | JANSR2N6193 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7492T2
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | JANSR2N7492T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7261
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN | JANSR2N7261 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N5153L
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, TO-5, 3 PIN | JANSR2N5153L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7381
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 | JANSR2N7381 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N2222AUBC
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | JANSR2N2222AUBC |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7489T3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, | JANSR2N7489T3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7463U5
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 | JANSR2N7463U5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7580T1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, | JANSR2N7580T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7292
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | JANSR2N7292 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N3635
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP, TO-39, TO-39, 3 PIN | JANSR2N3635 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N6193
VPT Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, | JANSR2N6193 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N3421S
Cobham Semiconductor Solutions
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | JANSR2N3421S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7438
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSR2N7438 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSR2N7470T1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN | JANSR2N7470T1 |
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