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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8058-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8058-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8004-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8004-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8031-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0134ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8031-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8008-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8008-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8014-H(TE12LQM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 40V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8014-H(TE12LQM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8007-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8007-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8003-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8003-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8025(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8025(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8078(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8078(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8075(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8075(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8024(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8024(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8062-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8062-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8048-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8048-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8011-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 20V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8011-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8091-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8091-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8006-H(TE12L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8006-H(TE12L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8046-H(TE12LQM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 40V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8046-H(TE12LQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8026(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8026(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8039-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8039-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8054-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8054-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8082(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8082(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPCA8083
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPCA8083 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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