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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-40ES,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R5-40ES,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R3-30YL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R3-30YL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-30YLC,115
Nexperia
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1 | NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - MOSFET, N CH, 30V, 100A, LFPAK | PSMN1R0-30YLC,115 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-40YLC:115
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-40YLC:115 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-100ASE
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 430A I(D), 100V, 0.00104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R0-100ASE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R5-25YL
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R5-25YL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R8-40YLC
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R8-40YLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R0-30YLD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R0-30YLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R2-80ASEJ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 375A I(D), 80V, 0.00118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R2-80ASEJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-25YLD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 25V, 0.00242ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R7-25YLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R8-30PL,127
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R8-30PL,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R6-40YLC
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R6-40YLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-40YSD
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R9-40YSD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R1-30YLEX
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | PSMN1R1-30YLEX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R2-25YLC,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R2-25YLC,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-25YLD
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.00242ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R7-25YLD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-40PL,127
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R9-40PL,127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN130-200D
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | PSMN130-200D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R1-80ASFJ
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 385A I(D), 80V, 0.00174ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-359 | PSMN1R1-80ASFJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R1-30BL,118
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R1-30BL,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN165-200K,118
Nexperia
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1 | N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET@en-us SOIC 8-Pin | PSMN165-200K,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R9-25YLC,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PSMN1R9-25YLC,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R8-40YLC,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R8-40YLC,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PSMN1R7-30YL
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 | PSMN1R7-30YL |
0
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PSMN1R6-30PL
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | PSMN1R6-30PL |
0
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