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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099CPFKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R075CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R075CP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R060P7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 | IPW60R060P7XKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R031CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R031CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R299CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R299CP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R045CPFKSA1
Infineon
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1 | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | IPW60R045CPFKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R190C6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R190C6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCW0406-150.1%ATPW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 60.4ohm, 50V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0406, | MCW0406-150.1%ATPW60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R190P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R125C6XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R125C6XK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCT0603-501%ATPW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.15W, 60.4ohm, 75V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | MCT0603-501%ATPW60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC3-0603PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 60.4ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | RC3-0603PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099P6XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCT0603-100.25%PW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 60.4ohm, 75V, 0.25% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | MCT0603-100.25%PW60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP-0805PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.175W, 60.4ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | RCP-0805PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R170CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R170CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R120C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R120C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R037P7
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 600V 76A | IPW60R037P7 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R299CPFKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R299CPFKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCT0603-250.1%PW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 60.4ohm, 75V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | MCT0603-250.1%PW60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R299CPXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R299CPXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCT0603-501%PW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 60.4ohm, 75V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | MCT0603-501%PW60R4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CRT0402-PW-60R4GLF
Bourns Inc
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.0625W, 60.4ohm, 25V, 0.01% +/-Tol, 10ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | CRT0402-PW-60R4GLF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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