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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1279MTRFP0G
Leoco USA Corp
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1 | PCMCIA Connector, 68 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator, Receptacle | 1279MTRFP0G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP064NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP054PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-203
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-203 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054N-201
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP054N-201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP054N-206
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP054N-206 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-208
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-208 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-203
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-203 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-201PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-201PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-207PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-207PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1279MTRFP0L
Leoco USA Corp
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1 | PCMCIA Connector, 68 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.05 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator, Receptacle | 1279MTRFP0L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-202
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-202 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-202PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-202PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048R
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP048R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N-208
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP044N-208 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048RPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP048RPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048RPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP048RPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-207PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-207PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP048N-207
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 55V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP048N-207 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-206
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-206 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFP064N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | AUIRFP064N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-208PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-208PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP064N-206PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP064N-206PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP044N
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP044N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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